赛米控推出内部电感仅为15nH的IGBT模块

日前，赛米控推出低电感1200V SEMITRANS IGBT模块系列产品，用于20-300kW AC/DC转换器。这些模块现可选项V-IGBT芯片替代IGBT4芯片。15nH的超低电感拥有两大好处：得益于较低的开关过电压，与竞争对手的模块相比，直流环节电压高50V。另外，IGBT的开关更快更柔，从而减少开关损耗，整体效率得以提高。

　　除了现有采用英飞凌IGBT芯片的SEMITRANS模块，SEMITRANS模块现还可以选择使用阻断电压为1200V的富士V-IGBT芯片。新的V-IGBT有三种不同的模块尺寸，8种不同的功率等级和3种开关拓扑。这些模块的额定电流为150A至600A。SEMITRANS 3和4模块是超低电感模块，模块电感仅为15nH。IGBT 5000A/µs的典型开关速度会带来75V的模块过电压。相比之下，竞争对手产品的平均模块过电压在90V至125V之间。模块为单开关、半桥或斩波器拓扑结构，专门用于工业驱动器中或任何其他给定应用领域的变频器。

     

标准SEMITRANS模块拥有4000V/min的高绝缘强度，比2500V/Min的绝缘强度规范高60%，凸显SEMITRANS模块的品质。除了具有IGBT2、IGBT2快速、IGBT3或IGBT4技术特点的1200V模块，这些模块还有600V和1700V的两种阻断电压可供选择。
　　现有三种标准SEMITRANS外壳尺寸，34mm宽的SEMITRANS 2和62mm宽的SEMITRANS 3和4模块。也提供用于非标准客户应用的额外尺寸，例如，带有6脉冲逆变桥电路的SEMITRANS 6，具有用于三电平逆变器以及电流监控电路的SEMITRANS 5，这些是通过将分流器集成到模块中实现的。SEMITRANS 9是为铁路应用而开发的，可以提供高达9kV的绝缘强度。 SEMITRANS模块均采用铜基板。